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NP55N03SUG
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
8
V GS = 10 V
I D = 28 A
6
4
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10000
C iss
1000
2
0
Pulsed
100
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C oss
C rss
-75
-25
25
75
125
175
225
0.1
1
10
100
T ch - Channel Temperature - ° C
SWITCHING CHARACTERISTICS
V DS - Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
40
35
V DD = 24 V
12
100
10
t d(on)
t r
V DD = 15 V
V GS = 10 V
R G = 0 Ω
t d(off)
t f
30
25
20
15
10
5
15 V
6V
V DS
V GS
I D = 55 A
9
6
3
1
0
0
0.1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
100
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
10
V GS = 10 V
0V
10
1
0.1
0.01
Pulsed
1
V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
0
0.5
1
1.5
0.1
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D18320EJ2V0DS
I F - Diode Forward Current - A
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